TPC8115(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | TPC8115(TE12L,Q,M) |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 113920 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPC8115(TE12L,Q,M).pdf |
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- Numero di parte
- TPC8115(TE12L,Q,M)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
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- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10 mOhm @ 5A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 200µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 115nC @ 5V
- Vgs (massimo)
- ±8V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 9130pF @ 10V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 1W (Ta)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Pacchetto / caso
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPC8115(TE12L,Q,M)
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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