codice articolo del costruttoreNVMSD6N303R2G
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible165030 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NVMSD6N303R2G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (massimo)
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 24V
Caratteristica FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
-
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NVMSD6N303R2G

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