codice articolo del costruttoreNDD60N900U1-1G
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible51640 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NDD60N900U1-1G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 50V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
74W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NDD60N900U1-1G

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