FCP190N60-GF102 ON Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | FCP190N60-GF102 |
|---|---|
| Produttore / Marca | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 158220 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | FCP190N60-GF102.pdf |
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- Numero di parte
- FCP190N60-GF102
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 20.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 199 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 74nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2950pF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 208W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-220
- Pacchetto / caso
- TO-220-3
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- FCP190N60-GF102
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| FCP190N60 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCP190N60E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| FCP190N65F | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 |
| FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 |
| FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I |
| FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Capacitor FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 |
| FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Capacitor FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 |
| FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Capacitor FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 |
| FCP1913H104J-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Capacitor FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913 |
| FCP1913H104J-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Capacitor FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913 |
| FCP1913H473G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Capacitor FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913 |