PMGD8000LN,115 NXP USA Inc. Distributore
codice articolo del costruttore | PMGD8000LN,115 |
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Produttore / Marca | NXP USA Inc. |
quantité disponible | 123390 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | PMGD8000LN,115.pdf |
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- Numero di parte
- PMGD8000LN,115
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 125mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8 Ohm @ 10mA, 4V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 100µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.35nC @ 4.5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 18.5pF @ 5V
- Potenza - Max
- 200mW
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 6-TSSOP
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- PMGD8000LN,115
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