codice articolo del costruttoreIPG16N10S461AATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible153680 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 2N-CH 8TDSON
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPG16N10S461AATMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Potenza - Max
29W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-10
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPG16N10S461AATMA1

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Parole chiave correlate per "IPG16N"

Numero di parte fabbricante Descrizione
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON