codice articolo del costruttoreIPB024N10N5ATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible87850 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPB024N10N5ATMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 183µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
138nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 50V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-7
Pacchetto / caso
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPB024N10N5ATMA1

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