BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | BSG0810NDIATMA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 112440 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | BSG0810NDIATMA1.pdf |
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- Numero di parte
- BSG0810NDIATMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 25V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 19A, 39A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.4nC @ 4.5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1040pF @ 12V
- Potenza - Max
- 2.5W
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 155°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 8-PowerTDFN
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TISON-8
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- BSG0810NDIATMA1
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON |
| BSG0812NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TISON |
| BSG0813NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |