SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributeur
| Référence fabricant | SIZF916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 202060 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH DUAL 30V |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SIZF916DT-T1-GE3.pdf |
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- Numéro d'article
- SIZF916DT-T1-GE3
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Caractéristique
- Standard
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 23A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
- Puissance - Max
- 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 8-PowerWDFN
- Package de périphérique fournisseur
- 8-PowerPair® (6x5)
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- SIZF916DT-T1-GE3
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Mots-clés associés pour "SIZF9"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR |
| SIZF916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V |