TPCP8J01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | TPCP8J01(TE85L,F,M |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 157540 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TPCP8J01(TE85L,F,M.pdf |
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- Numéro d'article
- TPCP8J01(TE85L,F,M
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- P-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 32V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 5.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 35 mOhm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1760pF @ 10V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 2.14W (Ta)
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- PS-8
- Paquet / cas
- 8-SMD, Flat Lead
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- TPCP8J01(TE85L,F,M
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Mots-clés associés pour "TPCP8J"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| TPCP8J01(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS |