STH110N7F6-2 STMicroelectronics Distributeur
| Référence fabricant | STH110N7F6-2 |
|---|---|
| Fabricant / marque | STMicroelectronics |
| quantité disponible | 147610 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | STH110N7F6-2.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour STH110N7F6-2 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- STH110N7F6-2
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 68V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.3 mOhm @ 55A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 100nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 5850pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 176W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- H2Pak-2
- Paquet / cas
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- STH110N7F6-2
Composants connexes fabriqués par STMicroelectronics
-
STMicroelectronics128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC -
STMicroelectronics256Mbit (4 Banks x 4M x 16) 1.8V Supply, 133MHz Clock Rate, DDR Low Power SDRAM IC
-
-
-
STMicroelectronicsULTRA LOW DROP-LOW NOISE BICMOS 300mA V.REG. FOR USE WITH VERY LOW ESR OUTPUT CAPACITOR IC
-
-
-
-
STMicroelectronics8 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability and a 50 MHz SPI bus interface IC
-
Mots-clés associés pour "STH1"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| STH10N120 | STMicroelectronics | STH10N120 STM IC TO-3P |
| STH10NA50 | STMicroelectronics | STH10NA50 STM IC TO-247 |
| STH10NA50FI | STMicroelectronics | STH10NA50FI STM IC TO-247 |
| STH10NC60 | STMicroelectronics | STH10NC60 STM IC TO |
| STH10NC60F | STMicroelectronics | STH10NC60F STM IC TO-3P |
| STH10NC60FI | STMicroelectronics | STH10NC60FI STM IC TT-218 |
| STH10NK60ZFI | STMicroelectronics | STH10NK60ZFI STM IC TT-218 |
| STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK |
| STH110N10F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 |
| STH110N7F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 |
| STH110N8F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET |
| STH115NA50FI | STMicroelectronics | STH115NA50FI STM IC ORIGINAL |