RQ7E055ATTCR Rohm Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | RQ7E055ATTCR |
|---|---|
| Fabricant / marque | Rohm Semiconductor |
| quantité disponible | 66690 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RQ7E055ATTCR.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour RQ7E055ATTCR Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- RQ7E055ATTCR
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- P-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 5.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 24.5 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 18.8nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 860pF @ 15V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 1.5W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- TSMT8
- Paquet / cas
- 8-SMD, Flat Lead
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- RQ7E055ATTCR
Composants connexes fabriqués par Rohm Semiconductor
.jpg "RFN10TF6S")
Mots-clés associés pour "RQ7E"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| RQ7E055ATTCR | Rohm Semiconductor | PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF |
| RQ7E110AJTCR | Rohm Semiconductor | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET |