Référence fabricantMT46H128M16LFB7-6 WT:B
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible37190 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT46H128M16LFB7-6 WT:B
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire
2Gb (128M x 16)
Fréquence d'horloge
166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
15ns
Temps d'accès
5.0ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement
-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
60-VFBGA
Package de périphérique fournisseur
60-VFBGA (10x10)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT46H128M16LFB7-6 WT:B

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Mots-clés associés pour "MT46H12"

Numéro d'article Fabricant La description
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
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