Référence fabricantIPB60R099C6ATMA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible145170 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IPB60R099C6ATMA1
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
37.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
119nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2660pF @ 100V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IPB60R099C6ATMA1

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