Référence fabricantIPB083N10N3GATMA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible131020 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IPB083N10N3GATMA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 50V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IPB083N10N3GATMA1

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