Référence fabricantDF75R12W1H4FB11BOMA2
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible197640 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
Type d'IGBT
-
Configuration
Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
25A
Puissance - Max
20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
Contribution
Standard
Thermistance NTC
Yes
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Paquet / cas
Module
Package de périphérique fournisseur
Module
Poids
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Application
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Pièce de rechange
DF75R12W1H4FB11BOMA2

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Mots-clés associés pour "DF75R1"

Numéro d'article Fabricant La description
DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1