Référence fabricantDD1200S12H4HOSA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible171200 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOD DIODE 1200A IHMB130-2
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
DD1200S12H4HOSA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type d'IGBT
-
Configuration
2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
1200A
Puissance - Max
1200000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 1200A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
-
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
-
Contribution
Standard
Thermistance NTC
No
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C
Type de montage
Chassis Mount
Paquet / cas
Module
Package de périphérique fournisseur
Module
Poids
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Application
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Pièce de rechange
DD1200S12H4HOSA1

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Numéro d'article Fabricant La description
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