NMSD200B01-7 Diodes Incorporated Distributeur
| Référence fabricant | NMSD200B01-7 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Diodes Incorporated |
| quantité disponible | 199290 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | NMSD200B01-7.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour NMSD200B01-7 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- NMSD200B01-7
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 60V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 200mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3 Ohm @ 50mA, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 50pF @ 25V
- FET Caractéristique
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipation de puissance (Max)
- 200mW (Ta)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- SOT-363
- Paquet / cas
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- NMSD200B01-7
Composants connexes fabriqués par Diodes Incorporated
.jpg "PI7C9X111SLBFDEX")
Mots-clés associés pour "NMSD"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| NMSD200B01-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 |