Número de pieza del fabricanteTPN6R003NL,LQ
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible62700 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TPN6R003NL,LQ.pdf

Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de TPN6R003NL,LQ en 24 horas.

Número de pieza
TPN6R003NL,LQ
Estado de producción (ciclo de vida)
Contact us
Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
700mW (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / caja
8-PowerVDFN
Peso
Contact us
Solicitud
Email for details
Repuesto
TPN6R003NL,LQ

Componentes relacionados hechos por Toshiba Semiconductor and Storage

Palabras clave relacionadas para "TPN6"

Número de pieza Fabricante Descripción
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV