Número de pieza del fabricanteHS8K11TB
Fabricante / MarcaRohm Semiconductor
Cantidad disponible216320 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
HS8K11TB
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
Potencia - Max
2W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
8-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
HSML3030L10
Peso
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Solicitud
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Repuesto
HS8K11TB

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