Número de pieza del fabricantePMDPB30XN,115
Fabricante / MarcaNexperia USA Inc.
Cantidad disponible171310 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
PMDPB30XN,115
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 10V
Potencia - Max
490mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
DFN2020-6
Peso
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Solicitud
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Repuesto
PMDPB30XN,115

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Número de pieza Fabricante Descripción
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PMDPB80XP,115 Nexperia USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
PMDPB85UPE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
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