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TN0110N3-G-P002 Microchip Technology Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | TN0110N3-G-P002 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Microchip Technology |
| Cantidad disponible | 79410 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TN0110N3-G-P002.pdf |
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- Número de pieza
- TN0110N3-G-P002
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 100V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 350mA (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3 Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 500µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 60pF @ 25V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 1W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-92-3
- Paquete / caja
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- TN0110N3-G-P002
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| TN0110N2 | VISHAY | TN0110N2 original vishay components |
| TN0110N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |
| TN0110N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |