IPD25CNE8N G Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPD25CNE8N G |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 132890 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPD25CNE8N G.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de IPD25CNE8N G en 24 horas.
- Número de pieza
- IPD25CNE8N G
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 85V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 25 mOhm @ 35A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 39µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2070pF @ 40V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 71W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TO252-3
- Paquete / caja
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPD25CNE8N G
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
.jpg "IPS7091STRLPBF")
Palabras clave relacionadas para "IPD2"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IPD200N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 |
| IPD200N15N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 |
| IPD20N03L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
| IPD20N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
| IPD220N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
| IPD22N08S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 |
| IPD230N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| IPD250N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 |
| IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
| IPD25CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
| IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 |
| IPD25N06S240ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 |