Número de pieza del fabricanteIPC218N04N3X1SA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible67780 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IPC218N04N3X1SA1
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
Sawn on foil
Paquete / caja
Die
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IPC218N04N3X1SA1

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Número de pieza Fabricante Descripción
IPC218N04N3X1SA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
IPC218N04N3X7SA1 Infineon Technologies MV POWER MOS
IPC218N06L3X1SA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
IPC218N06N3X1SA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
IPC218N06N3X7SA1 Infineon Technologies MV POWER MOS