Hersteller-TeilenummerSI7252DP-T1-GE3
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl52010 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
SI7252DP-T1-GE3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft
Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
36.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1170pF @ 50V
Leistung max
46W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket
PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
SI7252DP-T1-GE3

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO