Hersteller-TeilenummerMT3S113(TE85L,F)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl50930 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - HF
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
MT3S113(TE85L,F)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
5.3V
Frequenz - Übergang
12.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Gewinnen
11.8dB
Leistung max
800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
100mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket
S-Mini
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
MT3S113(TE85L,F)

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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