IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | IPB60R099CPATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Infineon Technologies |
| verfügbare Anzahl | 176830 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | IPB60R099CPATMA1.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IPB60R099CPATMA1 innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- IPB60R099CPATMA1
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Not For New Designs
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 31A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 99 mOhm @ 18A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 1.2mA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 80nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 2800pF @ 100V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 255W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PG-TO263-3-2
- Paket / Fall
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- IPB60R099CPATMA1
Verwandte Komponenten von Infineon Technologies
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IPB60"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3 |
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 |
| IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3 |
| IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 |
| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 |
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |