Hersteller-TeilenummerBUZ32H3045AATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl25890 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen BUZ32H3045AATMA1.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für BUZ32H3045AATMA1 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
BUZ32H3045AATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TO263-3
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
BUZ32H3045AATMA1

Verwandte Komponenten von Infineon Technologies

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "BUZ32"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
BUZ32 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
BUZ32 E3045A Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
BUZ32 H Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
BUZ32H3045AATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263