Hersteller-TeilenummerBSZ180P03NS3EGATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl208640 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
BSZ180P03NS3EGATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 15V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TSDSON-8
Paket / Fall
8-PowerTDFN
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
BSZ180P03NS3EGATMA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8