Hersteller-TeilenummerDMT8012LSS-13
Hersteller / MarkeDiodes Incorporated
verfügbare Anzahl171430 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen DMT8012LSS-13.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für DMT8012LSS-13 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
DMT8012LSS-13
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1949pF @ 40V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
8-SO
Paket / Fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
DMT8012LSS-13

Verwandte Komponenten von Diodes Incorporated

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "DMT8"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
DMT8012LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
DMT8012LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
DMT8012LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8