SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIS407DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 79150 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SIS407DN-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIS407DN-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIS407DN-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 25A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 93.8nC @ 8V
- Vgs (Макс.)
- ±8V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2760pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 3.6W (Ta), 33W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PowerPAK® 1212-8
- Упаковка / чехол
- PowerPAK® 1212-8
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SIS407DN-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
-
VISHAYLow Profile 3mm DC/DC Buck Converter 0.8V to 4.5V, 3A with 380W/in3 Power Density Efficiency up to 95% -
-
-
-
Связанные ключевые слова "SIS40"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIS4001X01-3070 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| SIS4004 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| SIS402DN | VISHAY | SIS402DN original vishay components |
| SIS402DN-T | VISHAY | SIS402DN-T original vishay components |
| SIS402DN-T1 | VISHAY | SIS402DN-T1 original vishay components |
| SIS402DN-T1-GE | VISHAY | SIS402DN-T1-GE original vishay components |
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
| SIS406DN | VISHAY | SIS406DN original vishay components |
| SIS406DN-T1-GE | VISHAY | SIS406DN-T1-GE original vishay components |
| SIS406DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK |
| SIS406DN-TI-E3 | VISHAY | SIS406DN-TI-E3 original vishay components |
| SIS406DN-TI-GE3 | VISHAY | SIS406DN-TI-GE3 original vishay components |