SI5447DC-T1-E3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI5447DC-T1-E3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 112150 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SI5447DC-T1-E3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI5447DC-T1-E3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI5447DC-T1-E3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 3.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 450mV @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 10nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±8V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
-
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.3W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 1206-8 ChipFET™
- Упаковка / чехол
- 8-SMD, Flat Lead
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SI5447DC-T1-E3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
.jpg "PHP00805H5491BBT1")
Связанные ключевые слова "SI54"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI5401DC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5401DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
| SI5401DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
| SI5401DCT1E3 | VISHAY | SI5401DCT1E3 original vishay components |
| SI5402BDC | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5402BDC-T1 | VISHAY | SI5402BDC-T1 original vishay components |
| SI5402BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| SI5402BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| SI5402BDC-TI-E3 | VISHAY | SI5402BDC-TI-E3 original vishay components |
| SI5402BDC_08 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5402DC | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5402DC-T1 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |