SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI4894BDY-T1-E3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 183760 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SI4894BDY-T1-E3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI4894BDY-T1-E3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI4894BDY-T1-E3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 8.9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 11 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 38nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1580pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.4W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-SO
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SI4894BDY-T1-E3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-
-
-
-
VISHAYBulk Metal㈢ Foil Technology Tubular Axial-Lead Resistors, Meets or Exceed MIL-R-39005 Requirements -
-
VISHAYEdgeboard Connectors Single Readout, Dip Solder, Eyelet and Wire Wrap⑩ Termination
-
-
-
-
Связанные ключевые слова "SI489"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI4890BDY | VISHAY | SI4890BDY original vishay components |
| SI4890BDY-T | VISHAY | SI4890BDY-T original vishay components |
| SI4890BDY-T1 | VISHAY | SI4890BDY-T1 original vishay components |
| Si4890BDY-T1-E | VISHAY | Si4890BDY-T1-E original vishay components |
| SI4890BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| SI4890BDY-T1-E3 GE3 | VISHAY | SI4890BDY-T1-E3 GE3 original vishay components |
| SI4890BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| SI4890DV | VISHAY | SI4890DV original vishay components |
| SI4890DV SOP-8 | VISHAY | SI4890DV SOP-8 original vishay components |
| SI4890DY | VISHAY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| SI4890DY-T1 | VISHAY | SI4890DY-T1 original vishay components |
| SI4890DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |