NAND04GW3B2DN6E(ROHS) STMicroelectronics дистрибьютор
| Номер детали производителя | NAND04GW3B2DN6E(ROHS) |
|---|---|
| Производитель / Марка | STMicroelectronics |
| Доступное количество | 49920 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | NAND04GW3B2DN6EROHS STM IC TSOP-48 |
| Категория продукта | СТМ СК |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | NAND04GW3B2DN6E(ROHS).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NAND04GW3B2DN6E(ROHS) в течение 24 часов.
- номер части
- NAND04GW3B2DN6E(ROHS)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Упаковка / Чехол
- TSOP-48
- Серии
- NAND04GW
- Страна происхождения
- contact us
- Статус детали
- Active
- Конфигурация вывода
- -
- Тип выхода
- -
- Количество регуляторов
- -
- Напряжение - вход
- -
- Напряжение - выход
- -
- Текущий - выход
- -
- Текущий - поставка
- -
- Функции управления
- -
- Защитные функции
- -
- Рабочая Температура
- contact us
- Пакет устройств поставщика
- -
- Другая часть номер
- NAND04GW3B2DN6E(ROHS)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- NAND04GW3B2DN6E(ROHS)
Связанные компоненты сделаны STMicroelectronics
-
STMicroelectronicsSYNCHRONOUS PARALLEL OR SERIAL IN/SERIAL OUT 8 - STAGE STATIC SHIFT REGISTER IC -
-
-
-
-
-
-
-
-
Связанные ключевые слова "NAND04G"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NAND04GA3C2A | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN1E | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN1F | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN6E | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GA3C2AN6F | STMicroelectronics | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory IC |
| NAND04GR3B2DDI6 | STMicroelectronics | NAND04GR3B2DDI6 STM IC ORIGINAL |
| NAND04GR3B2DN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP |
| NAND04GR3B2DZL6E | STMicroelectronics | NAND04GR3B2DZL6E STM IC ORIGINAL |
| NAND04GR4B2DDI6 | STMicroelectronics | NAND04GR4B2DDI6 STM IC ORIGINAL |
| NAND04GR4E1AZA6E | STMicroelectronics | NAND04GR4E1AZA6E STM IC ORIGINAL |
| NAND04GR4E1AZE6E | STMicroelectronics | NAND04GR4E1AZE6E STM IC ORIGINAL |
| NAND04GW3B2AN1E | STMicroelectronics | 4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories IC |