номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиУправляемая конфигурацияТип каналаКоличество драйверовТип воротНапряжение - ПоставкаНапряжение логики - VIL, VIHТекущий - пиковый выход (источник, раковина)Тип вводаВысокое боковое напряжение - макс (бутстрап)Время нарастания / падения (Тип)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Microchip Technology IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8DFN ActiveLow-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET4.5 V ~ 18 V0.8V, 2.4V4.5A, 4.5AInverting
-
15ns, 18ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-VDFN Exposed Pad8-DFN-S (6x5)
Microchip Technology IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8SOIC ActiveLow-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET4.5 V ~ 18 V0.8V, 2.4V4.5A, 4.5AInverting
-
15ns, 18ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SOIC
Microchip Technology IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8SOIC ActiveLow-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET4.5 V ~ 18 V0.8V, 2.4V4.5A, 4.5ANon-Inverting
-
15ns, 18ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SOIC
Microchip Technology IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN ActiveLow-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET4.5 V ~ 18 V0.8V, 2.4V4A, 4ANon-Inverting
-
15ns, 18ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-VDFN Exposed Pad8-DFN-S (6x5)
Microchip Technology IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC ActiveLow-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET4.5 V ~ 18 V0.8V, 2.4V4A, 4ANon-Inverting
-
15ns, 18ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SOIC
Microchip Technology IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC ActiveLow-SideIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET4.5 V ~ 18 V0.8V, 2.4V4A, 4AInverting, Non-Inverting
-
15ns, 18ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SOIC