SPD07N20GBTMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | SPD07N20GBTMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 213140 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SPD07N20GBTMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SPD07N20GBTMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- SPD07N20GBTMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 200V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 400 mOhm @ 4.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 31.5nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 530pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 40W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SPD07N20GBTMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "SPD0"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SPD01N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 |
| SPD02N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK |
| SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
| SPD02N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK |
| SPD02N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 |
| SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 |
| SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 |
| SPD03N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK |
| SPD03N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
| SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK |
| SPD03N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK |
| SPD03N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252 |