IPD70R600CEAUMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPD70R600CEAUMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 189970 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPD70R600CEAUMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD70R600CEAUMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPD70R600CEAUMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 700V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 10.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 600 mOhm @ 1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 0.21mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 22nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 474pF @ 100V
- Функция FET
- Super Junction
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 86W (Tc)
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPD70R600CEAUMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
;;3.jpg "IRLU2905ZPBF")
Связанные ключевые слова "IPD70"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 |
| IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 |
| IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| IPD70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| IPD70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3 |
| IPD70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| IPD70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
| IPD70P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
| IPD70R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 |
| IPD70R1K4P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 |
| IPD70R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 |