IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPD30N06S2L23ATMA3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 181140 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPD30N06S2L23ATMA3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD30N06S2L23ATMA3 в течение 24 часов.
- номер части
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 55V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 23 mOhm @ 22A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 42nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1091pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 100W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3-11
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPD30N06S2L23ATMA3
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
%20Exposed%20Pad.jpg "2EDN7523RXUMA1")
Связанные ключевые слова "IPD30N"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2L13ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| IPD30N06S2L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |