IPD16CN10N G Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPD16CN10N G |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 72100 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPD16CN10N G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD16CN10N G в течение 24 часов.
- номер части
- IPD16CN10N G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 53A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 16 mOhm @ 53A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 61µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 48nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 3220pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 100W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPD16CN10N G
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPD1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 |
| IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
| IPD100N06S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 |
| IPD100N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 |
| IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3 |
| IPD105N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3 |
| IPD10N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK |
| IPD10N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK |
| IPD110N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
| IPD110N12N3GBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
| IPD11N03L | INTERSIL | IPD11N03L INTERSIL IC ORIGINAL |
| IPD11N03LBG | INTERSIL | IPD11N03LBG INTERSIL IC TO-252(DPAK) |