Número da peça do fabricanteFQB4N80TM
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível128920 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados FQB4N80TM.pdf

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Número da peça
FQB4N80TM
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / Caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
FQB4N80TM

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