Número da peça do fabricanteIPD60R520C6ATMA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Quantidade disponível180000 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
IPD60R520C6ATMA1
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
8.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
512pF @ 100V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
66W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
PG-TO252-3
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
IPD60R520C6ATMA1

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