제조업체 부품 번호IRF6621TRPBF
제조업체 / 브랜드Infineon Technologies
사용 가능한 수량119450 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 IRF6621TRPBF.pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. IRF6621TRPBF 24 시간 이내.

부품 번호
IRF6621TRPBF
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
12A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
2.25V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
17.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1460pF @ 15V
FET 기능
-
전력 발산 (최대)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric SQ
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
IRF6621TRPBF

관련 부품 Infineon Technologies

관련 키워드 "IRF6"

부품 번호 제조사 기술
IRF6000T00B01 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF6000T00B02 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF6001I Texas Instruments (TI) IRF6001I TI BGA IC
IRF603FP STMicroelectronics IRF603FP STM IC TO-220F
IRF60B217 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 60A
IRF60DM206 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 130A
IRF60R217 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 58A
IRF610 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
IRF610-613 FAIRCHILD N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC
IRF610-R4941 FAIRCHILD IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220
IRF610-TSTU SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF610/SIHF610 VISHAY IRF610/SIHF610 original vishay components