製造業者識別番号NAND02GW4B2BN6
メーカー/ブランドSTMicroelectronics
利用可能な数量76130 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory IC
製品カテゴリSTM IC
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード NAND02GW4B2BN6.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します NAND02GW4B2BN6 24時間以内に。

品番
NAND02GW4B2BN6
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
包装/ケース
Original
シリーズ
NAND0
原産国
contact us
部品ステータス
Active
出力構成
-
出力タイプ
-
レギュレータの数
-
電圧 - 入力
-
電圧 - 出力
-
電流出力
-
電流 - 供給
-
制御機能
-
保護機能
-
動作温度
contact us
サプライヤデバイスパッケージ
-
その他の品番
NAND02GW4B2BN6
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
NAND02GW4B2BN6

によって作られた関連部品 STMicroelectronics

関連キーワード "NAND"

品番 メーカー 説明
Nand Flash_128M*8BitK9F1G08UOB-PCBO SAMSUNG SAMSUNG orginal components
NAND0128W3ADAN7 STMicroelectronics NAND0128W3ADAN7 STM IC QFP
NAND016GW3C4BN6 STMicroelectronics NAND016GW3C4BN6 STM IC TSOP
NAND016W3B2AN6 STMicroelectronics NAND016W3B2AN6 STM IC TSOP
NAND016W3B2AZA6 STMicroelectronics NAND016W3B2AZA6 STM IC BGA
NAND016W3B2BN6 STMicroelectronics NAND016W3B2BN6 STM IC TSSOP
NAND016W3B2CN6 STMicroelectronics NAND016W3B2CN6 STM IC ORIGINAL
NAND01DW382AN6E STMicroelectronics NAND01DW382AN6E STM IC TSOP
NAND01G-B STMicroelectronics 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC
NAND01G-B2B STMicroelectronics 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC
NAND01G-M STMicroelectronics 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP IC
NAND01G-N STMicroelectronics 1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package IC