品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータス駆動構成チャネルタイプドライバ数ゲートタイプ電圧 - 供給ロジック電圧 - VIL、VIH電流 - ピーク出力(ソース、シンク)入力方式ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ)立ち上がり/立ち下がり時間(Typ)動作温度取付タイプパッケージ/ケースサプライヤデバイスパッケージ
Texas Instruments IC HIGH CURRENT FET DRVR TO220-5 ActiveLow-SideSingle1IGBT, N-Channel MOSFET4.7 V ~ 18 V0.8V, 2V6A, 6AInverting, Non-Inverting
-
85ns, 85ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-5TO-220-5
Texas Instruments IC HIGH CURRENT FET DRVR 16-SOIC ActiveLow-SideSingle1IGBT, N-Channel MOSFET4.7 V ~ 18 V0.8V, 2V6A, 6AInverting, Non-Inverting
-
85ns, 85ns-55°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)16-SOIC
Texas Instruments IC COMPLEMENT MOSFET DRVR 8-DIP ActiveLow-SideSingle1IGBT, N-Channel MOSFET4.7 V ~ 18 V0.8V, 2V6A, 6AInverting, Non-Inverting
-
85ns, 85ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through Hole8-DIP (0.300", 7.62mm)8-PDIP
Texas Instruments IC COMPL MOSFET DRVR TO-220-5 ActiveLow-SideSingle1IGBT, N-Channel MOSFET4.7 V ~ 18 V0.8V, 2V6A, 6AInverting, Non-Inverting
-
85ns, 85ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-5TO-220-5