書き込みサイクル時間 - ワード、ページ is 200ns - メモリ Distributor - DS1220AB-200+ DS1220AD-200 DS1220AD-200+

品番	メーカー/ブランド	簡単な説明	部品ステータス	メモリの種類	メモリフォーマット	技術	メモリー容量	クロック周波数	書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	アクセス時間	メモリインターフェイス	電圧 - 供給	動作温度	取付タイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
DS1220AB-200+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	Active	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS1220AD-200	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS1220AD-200+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	Active	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS1220AD-200IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	Active	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS1225AB-200	Maxim Integrated	IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	64Kb (8K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)	28-EDIP
DS1230AB-200	Maxim Integrated	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256Kb (32K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)	28-EDIP
DS1230AB-200IND	Maxim Integrated	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256Kb (32K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)	28-EDIP
DS1230Y-200	Maxim Integrated	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256Kb (32K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)	28-EDIP
DS1230Y-200+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP	Active	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256Kb (32K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)	28-EDIP
DS1230Y-200IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP	Active	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256Kb (32K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)	28-EDIP
M48Z02-200PC1	STMicroelectronics	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.75 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-PCDIP, CAPHAT®
M48Z12-200PC1	STMicroelectronics	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP	Obsolete	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	200ns	200ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-PCDIP, CAPHAT®

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