品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータスメモリの種類メモリフォーマット技術メモリー容量クロック周波数書き込みサイクル時間 - ワード、ページアクセス時間メモリインターフェイス電圧 - 供給動作温度取付タイプパッケージ/ケースサプライヤデバイスパッケージ
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)1Gb (128M x 8)
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25ns25nsParallel2.7 V ~ 3.6 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)2Gb (256M x 8)
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25ns25nsParallel2.7 V ~ 3.6 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)1Gb (128M x 8)
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25ns25nsParallel1.7 V ~ 1.95 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)1Gb (128M x 8)
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25ns25nsParallel2.7 V ~ 3.6 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)2Gb (256M x 8)
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25ns25nsParallel2.7 V ~ 3.6 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)4Gb (512M x 8)
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25ns25nsParallel2.7 V ~ 3.6 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)
Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA ActiveNon-VolatileFLASHFLASH - NAND (SLC)1Gb (128M x 8)
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25ns25nsParallel1.7 V ~ 1.95 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount67-VFBGA67-VFBGA (6.5x8)