品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータスメモリの種類メモリフォーマット技術メモリー容量クロック周波数書き込みサイクル時間 - ワード、ページアクセス時間メモリインターフェイス電圧 - 供給動作温度取付タイプパッケージ/ケースサプライヤデバイスパッケージ
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - DDR21Gb (128M x 8)333MHz15ns450psParallel1.7 V ~ 1.9 V0°C ~ 70°C (TA)Surface Mount60-TFBGA60-TWBGA (8x10.5)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - DDR21Gb (128M x 8)333MHz15ns450psParallel1.7 V ~ 1.9 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount60-TFBGA60-TWBGA (8x10.5)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - DDR21Gb (128M x 8)400MHz15ns400psParallel1.7 V ~ 1.9 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount60-TFBGA60-TWBGA (8x10.5)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - DDR2512Mb (64M x 8)400MHz15ns400psParallel1.7 V ~ 1.9 V0°C ~ 70°C (TA)Surface Mount60-TFBGA60-TWBGA (8x10.5)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - DDR2512Mb (64M x 8)400MHz15ns400psParallel1.7 V ~ 1.9 V-40°C ~ 85°C (TA)Surface Mount60-TFBGA60-TWBGA (8x10.5)