品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータスロジックタイプ回路数入力数特徴電圧 - 供給電流 - 静止(最大)電流出力ハイ、ロー論理レベル - 低論理レベル - 高最大伝搬遅延@ V、最大CL動作温度取付タイプサプライヤデバイスパッケージパッケージ/ケース
Diodes Incorporated IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1010-6 ActiveAND Gate12Open Drain0.8 V ~ 3.6 V500nA-, 4mA0.7 V ~ 0.9 V1.6 V ~ 2 V12.7ns @ 3.3V, 30pF-40°C ~ 125°CSurface MountX2-DFN1010-66-XFDFN
Diodes Incorporated IC GATE OR 1CH 2-INP DFN1010-6 ActiveOR Gate12
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0.8 V ~ 3.6 V500nA4mA, 4mA0.7 V ~ 0.9 V1.6 V ~ 2 V6.4ns @ 3.3V, 30pF-40°C ~ 125°CSurface MountX2-DFN1010-66-XFDFN
Diodes Incorporated IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6 ActiveNAND Gate12
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1.65 V ~ 5.5 V200µA32mA, 32mA0.7 V ~ 0.8 V1.7 V ~ 2 V5.5ns @ 5V, 50pF-40°C ~ 125°CSurface MountX2-DFN1010-66-XFDFN
Diodes Incorporated IC GATE NOR 1CH 2-INP DFN1010-6 ActiveNOR Gate12
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1.65 V ~ 5.5 V200µA32mA, 32mA0.7 V ~ 0.8 V1.7 V ~ 2 V1.7ns @ 5V, 50pF-40°C ~ 125°CSurface MountX2-DFN1010-66-XFDFN