品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータスタイプ特徴メモリー容量時間形式日付形式インタフェース電圧 - 供給電圧供給、バッテリ電流 - 計時(最大)動作温度取付タイプパッケージ/ケースサプライヤデバイスパッケージ
Maxim Integrated IC SRAM 256K 5V 70NS 28-DIP ActivePhantom Time ChipLeap Year, NVSRAM32KBHH:MM:SS:hh (12/24 hr)YY-MM-DD-ddParallel4.5 V ~ 5.5 V
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10mA @ 5V0°C ~ 70°CThrough Hole28-DIP Module (0.600", 15.24mm)28-EDIP
Maxim Integrated IC RTC PHANTOM PAR 28-DIP ActivePhantom Time ChipLeap Year, NVSRAM32KBHH:MM:SS:hh (12/24 hr)YY-MM-DD-ddParallel4.5 V ~ 5.5 V
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10mA @ 5V0°C ~ 70°CThrough Hole28-DIP Module (0.600", 15.24mm)28-EDIP
Maxim Integrated IC RTC PHANTOM PAR 32-DIP ActivePhantom Time ChipNVSRAM128KBHH:MM:SS:hh (12/24 hr)YY-MM-DD-ddParallel4.5 V ~ 5.5 V
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10mA @ 5V0°C ~ 70°CThrough Hole32-DIP Module (0.600", 15.24mm)32-EDIP
Maxim Integrated IC RTC PHANTOM PAR 34-PCM ActivePhantom Time ChipNVSRAM128KBHH:MM:SS:hh (12/24 hr)YY-MM-DD-ddParallel4.5 V ~ 5.5 V3V10mA @ 5V0°C ~ 70°CSurface Mount34-PowerCap™ Module34-PowerCap Module
Maxim Integrated IC RTC PHANTOM PAR 32-DIP ObsoletePhantom Time ChipLeap Year, NVSRAM512KBHH:MM:SS:hh (12/24 hr)YY-MM-DD-ddParallel4.5 V ~ 5.5 V
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10mA @ 5V0°C ~ 70°CThrough Hole32-DIP Module (0.600", 15.24mm)32-EDIP
Maxim Integrated IC RTC PHANTOM PAR 32-DIP ActivePhantom Time ChipLeap Year, NVSRAM512KBHH:MM:SS:hh (12/24 hr)YY-MM-DD-ddParallel4.5 V ~ 5.5 V
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10mA @ 5V0°C ~ 70°CThrough Hole32-DIP Module (0.600", 15.24mm)32-EDIP