製造業者識別番号A2T18S262W12NR3
メーカー/ブランドNXP USA Inc.
利用可能な数量50900 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - RF
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード A2T18S262W12NR3.pdf

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品番
A2T18S262W12NR3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
トランジスタタイプ
LDMOS
周波数
1.805GHz ~ 1.88GHz
利得
19.3dB
電圧 - テスト
28V
電流定格
10µA
ノイズフィギュア
-
電流 - テスト
1.6A
電力出力
231W
電圧 - 定格
65V
パッケージ/ケース
OM-880X-2L2L
サプライヤデバイスパッケージ
OM-880X-2L2L
重量
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応用
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交換部品
A2T18S262W12NR3

によって作られた関連部品 NXP USA Inc.

関連キーワード "A2T18"

品番 メーカー 説明
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S160W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO